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Development of physical and numerical models for mass transport in phase change materials
2012/2013 NOVIELLI, GIOVANNI
Dinamica di cristallizzazione in leghe GeSbTe e suo impatto sull'affidabilità delle memorie a cambiamento di fase
2011/2012 PENNATI, LUCA
Modeling of element migration phenomena in chalcogenide materials
2018/2019 IMPALÀ, MATTEO
Modello numerico elettrotermico per analisi di sensibilità e di scaling delle memorie a cambiamento di fase
2009/2010 FERRARI, GIOVANNI
Studio dell'ampiezza dell'RTN nei dispositivi MOS di nanoscala mediante sIFM
2012/2013 TORRENTE, GIULIO
Sviluppo e validazione di modelli discreti per lo studio della dispersione di soglia e delle correnti di perdita nei MOSFET
2010/2011 FRASSON, DIEGO
| Fulltext | Data | Tipo | Titolo | Autore (i) |
|---|---|---|---|---|
| 2013-07-23 | Tesi di laurea Magistrale | Development of physical and numerical models for mass transport in phase change materials | NOVIELLI, GIOVANNI | |
| 2012-04-23 | Tesi di laurea Magistrale | Dinamica di cristallizzazione in leghe GeSbTe e suo impatto sull'affidabilità delle memorie a cambiamento di fase | PENNATI, LUCA | |
| 2019-04-16 | Tesi di laurea Magistrale | Modeling of element migration phenomena in chalcogenide materials | IMPALÀ, MATTEO | |
| 2010-10-22 | Tesi di laurea Magistrale | Modello numerico elettrotermico per analisi di sensibilità e di scaling delle memorie a cambiamento di fase | FERRARI, GIOVANNI | |
| 2013-07-23 | Tesi di laurea Magistrale | Studio dell'ampiezza dell'RTN nei dispositivi MOS di nanoscala mediante sIFM | TORRENTE, GIULIO | |
| 2012-04-23 | Tesi di laurea Magistrale | Sviluppo e validazione di modelli discreti per lo studio della dispersione di soglia e delle correnti di perdita nei MOSFET | FRASSON, DIEGO |
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