Development of physical and numerical models for mass transport in phase change materials

During normal operation, Phase Change Memories undergo very high electrical and thermal stresses, that cause a movement ("atomic migration") of the active material chemical components, leading to compositional variation. This work proposes a physically-based model for chalcogenide alloy components migration, and carries out its numerical implementation.

Durante le normali operazioni di programmazione, le memorie a cambiamento di fase (PCM) sono sottoposte ad intense sollecitazioni elettrotermiche, che causano un movimento ("atomic migration") delle specie costitutive del materiale attivo, portando ad una variazione della composizione. Questo lavoro propone un modello fisico per la migrazione degli atomi delle leghe calcogenure, e ne sviluppa l'implementazione numerica.