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Read-induced VT instability caused by poly-Si traps in vertical-channel 3D NAND flash memories
2016/2017 MAFFE', MICHELE
Studio dell'ampiezza dell'RTN nei dispositivi MOS di nanoscala mediante sIFM
2012/2013 TORRENTE, GIULIO
Studio sperimentale di celle T-RAM per memorie volatili di prossima generazione
2012/2013 MULAOSMANOVIC, HALID
Sviluppo e validazione di modelli discreti per lo studio della dispersione di soglia e delle correnti di perdita nei MOSFET
2010/2011 FRASSON, DIEGO
TCAD modeling of current transport and main reliability issues of polysilicon-channel 3-D NAND Flash strings
2020/2021 MANNARA, AURELIO
Fulltext | Data | Tipo | Titolo | Autore (i) |
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2017-10-03 | Tesi di laurea Magistrale | Read-induced VT instability caused by poly-Si traps in vertical-channel 3D NAND flash memories | MAFFE', MICHELE | |
2013-07-23 | Tesi di laurea Magistrale | Studio dell'ampiezza dell'RTN nei dispositivi MOS di nanoscala mediante sIFM | TORRENTE, GIULIO | |
2012-12-20 | Tesi di laurea Magistrale | Studio sperimentale di celle T-RAM per memorie volatili di prossima generazione | MULAOSMANOVIC, HALID | |
2012-04-23 | Tesi di laurea Magistrale | Sviluppo e validazione di modelli discreti per lo studio della dispersione di soglia e delle correnti di perdita nei MOSFET | FRASSON, DIEGO | |
2020-12-22 | Tesi di Dottorato | TCAD modeling of current transport and main reliability issues of polysilicon-channel 3-D NAND Flash strings | MANNARA, AURELIO |
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