Read-induced VT instability caused by poly-Si traps in vertical-channel 3D NAND flash memories

In the present work a new phenomenon occurring in 3D NAND Flash memories is introduced, which causes a transient instability in the threshold voltage of the memory cells. The phenomenon is read-induced and it is related to the presence of the polysilicon channel. The aim of the work is the experimental analysis of the phenomenon, the study of its dependencies on the threshold voltage of the cells and in the proposal of a qualitative physical model which is able to explain the threshold instability.

Nel lavoro di tesi viene introdotto un nuovo fenomeno osservato in memorie NAND Flash 3D, che causa una temporanea instabilità nella tensione di soglia delle celle di memoria. Il fenomeno è attivato in presenza di operazioni di lettura multiple sulle celle ed è legato alla presenza del canale in polisilicio. Il lavoro svolto consiste nell'indagine sperimentale di tale fenomeno, nello studio delle sue dipendenze dalla tensione di soglia delle celle e infine nella presentazione di un modello fisico qualitativo in grado di spiegare l'instabilità della soglia.