Questo lavoro di tesi verte sullo studio di modelli per i dispositivi chiave per il funzionamento dei crossspoint array quali tecnologie di memoria emergenti e selettori. Sono stati in particolare approfonditi il fenomeno id threshold switching dei materiali calcogenuri, fondamentale per il funzionamento dei selettori a calcogenuri amorfi e delle memorie PCM, in termini di trasporto elettronico e di studio degli effetti di riscaldamento. Sono stati inoltre studiati modelli per altri dispositivi promettenti in questo contesto quali selettori basati su silicio amorfo e dispositivi di memoria RRAM.
Modelli di switching in dispositivi di memoria e di selezione per matrici
POLINO, NICOLA FRANCESCO
2015/2016
Abstract
Questo lavoro di tesi verte sullo studio di modelli per i dispositivi chiave per il funzionamento dei crossspoint array quali tecnologie di memoria emergenti e selettori. Sono stati in particolare approfonditi il fenomeno id threshold switching dei materiali calcogenuri, fondamentale per il funzionamento dei selettori a calcogenuri amorfi e delle memorie PCM, in termini di trasporto elettronico e di studio degli effetti di riscaldamento. Sono stati inoltre studiati modelli per altri dispositivi promettenti in questo contesto quali selettori basati su silicio amorfo e dispositivi di memoria RRAM.File allegati
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