Characterization and modeling of embedded phase change memory devices

This dissertation is a collection of the publications and manuscripts which constitute original research and to which the doctoral candidate has contributed in a substantial manner. It is preceded by an introductory chapter which explains in detail the background for the publications and the candidate's contribution to each of them. The objectives of the work leading to this dissertation were: (i) to investigate the resistance drift phenomenon in the Ge-rich Phase-Change Memory devices, and (ii) to explore innovative uses for said memory devices such as synapses and neurons for hardware-implemented neural networks.

La presente dissertazione è una raccolta di pubblicazioni e manoscritti che costituiscono ricerca scientifica originale alla quale il candidato ha contribuito in modo sostanziale. È preceduta da un capitolo introduttivo che spiega in dettaglio il contesto delle pubblicazioni e il contributo dell'autore a ciascuna di esse. Gli obiettivi del lavoro che ha portato a questa tesi sono stati: (i) indagare il fenomeno della deriva della resistenza nei dispositivi di memoria a cambiamento di fase ricchi in germanio, e (ii) esplorare usi innovativi di tali dispositivi di memoria per sinapsi e neuroni per reti neurali implementate a livello hardware.