In questa tesi si sono sviluppati modelli numerici per lo switching resistivo in memorie RRAM unipolari e bipolari
Modelli numerici per lo switching resistivo unipolare e bipolare in ossidi metallici
LARENTIS, STEFANO
2010/2011
Abstract
In questa tesi si sono sviluppati modelli numerici per lo switching resistivo in memorie RRAM unipolari e bipolariFile allegati
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https://hdl.handle.net/10589/20823