Electrothermal computational modeling for 3D heterogeneous memory devices

This thesis fits in a project of modeling study of two types of resistive memory (ReRAM and PCM). In particular, we dealt with the development of a mathematical model of partial derivatives to describe the electrical and thermal processes that take place within a memory cell, considering the presence of different materials (metals and not) and of heterogeneous properties within the same material. We have also been involved in the writing of part of the C + + code used to handle three-dimensional grids and solve the equations of the theoretical model.

Questo lavoro di tesi si inserisce in un progetto di studio modellistico di due tipi di memorie resistive (ReRAM e PCM). In particolare, ci siamo occupati di sviluppare un modello matematico alle derivate parziali per descrivere i processi elettrici e termici che avvengono all'interno di una cella di memoria tenendo in considerazione la presenza di materiali diversi (metallici e non) e di proprietà eterogenee all'interno dello stesso materiale. Abbiamo inoltre partecipato alla scrittura di parte del codice C++ usato per gestire griglie tridimensionali e risolvere su queste le equazioni del modello teorico.