Una maggiore comprensione della variabilità di programmazione e del rumore di lettura delle memorie a switching resistivo (RRAM) risulta fondamentale allo sviluppo del dispositivo. Questo lavoro mira ad un'opera di caratterizzazione dei parametri di programmazione di una singola cella di memorie e studia la variabilità del principale rumore di lettura presente nel dispositivo, il rumore RTN.
Caratterizzazione elettrica della variabilità di programmazione e del rumore RTN in memorie a switching resistivo
CUBETA, ANTONIO
2013/2014
Abstract
Una maggiore comprensione della variabilità di programmazione e del rumore di lettura delle memorie a switching resistivo (RRAM) risulta fondamentale allo sviluppo del dispositivo. Questo lavoro mira ad un'opera di caratterizzazione dei parametri di programmazione di una singola cella di memorie e studia la variabilità del principale rumore di lettura presente nel dispositivo, il rumore RTN.File allegati
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https://hdl.handle.net/10589/94390