Development and study of non-volatile resistive memories based on graphene oxide

This work has been about developing and studying a promising type of memory : non-volatile resistive memories based on graphene oxide. Non- volatile memories have been identified as a key device for the future of computational systems considering their reduced energy consumption compared to volatile memories. Graphene related materials offer an interesting and rising alternative to existing technologies. We have carried out the making of such memories, which are composed of several thin films stacked on a silicon substrate, and examined the fabrication process. To ensure we had mastered the process, we have controlled the thickness of the deposited graphene oxide layer and its roughness. Then we have performed electric characterizations of the fabricated devices and observed that a switching mechanism occured in these structures.

Questo studio consisteva nello sviluppare e analizzare un tipo di memorie promettente : le memorie resistive non-volatili fatte di ossido di grafene. Le memorie non volatili sono state identificate come dei dispositivi chiave per il futuro dei sistemi informatici considerando il consumo energetico ridotto rispetto alle memorie volatili. I materiali legati al grafene offrono un' alternativa interessante e molto promettente alle tecnologie esistenti. Abbiamo realizzato la fabbricazione di queste memorie, che sono composte di diversi film sottili impilati su uno substrato di silicio, e abbiamo esaminato il processo di realizzazione. Per essere sicuri di dominare il processo, abbiamo controllato lo spessore dello strato di ossido di grafene depositato e la sua ruvidità. Poi abbiamo realizzato delle caratterizzazioni elettriche dei dispositivi fabbricati e abbiamo osservato che un meccanismo di switch si svolge in queste strutture.