Investigate and Enhance the Working Stability and Performance of MAPbI3 Perovskite Semiconductor Devices

OHPs have shown great promise of providing a pronounced impact for energy harvesting and opto-electronic device applications. Since device operation causes ion migration within the Perovskite semiconductor, interfacial defect states may play a more significant role in these semiconductors than their counterparts. The migrating ions are anticipated to accumulate at the semi-conductor interfaces which may then increase the density of interface states.. Many strategies can be applied to mitigate these effects. Here the possibility of applying an interfacial layer that interacts with the accumulated ions to mitigate the effects is shown as a promising approach. This approach is also used to make highly efficient Photodetectors. Interfaces are also modified with other techniques so as to enhance the performance.

Perovkites hanno mostrato una grande promessa di fornire un impatto pronunciato per la raccolta di energia e applicazioni per dispositivi opto-elettronici. Dal momento che il funzionamento del dispositivo provoca la migrazione di ioni all'interno del semiconduttore Perovskite, stati di difetto di interfaccia possono svolgere un ruolo più significativo in questi semiconduttori rispetto ai loro omologhi. Gli ioni che migrano sono previsti per accumulare alle interfacce dei semiconduttori, che possono quindi aumentare la densità degli stati di interfaccia .. Molte strategie possono essere applicati per attenuare questi effetti. Qui la possibilità di applicare uno strato interfacciale che interagisce con gli ioni accumulati per mitigare gli effetti è mostrato come un approccio promettente. Questo approccio è anche usato per fare Photodetectors altamente efficienti. Le interfacce sono anche modificati con altre tecniche in modo da migliorare le prestazioni.